Sziasztok!
Több párhuzamosan kötött fet esetén (6,8 vagy 12) hogyan méritek ki kiforrasztás nélkül, hogy van-e rossz, szakadt közöttük vagy mindegyik jó? Természetesen ha zárlatos valamelyik, akkor az adja magát.
Köszi.
2018, February 18 - 21:47
#1
gyimi1
Szia Gyimi 1 !A FET-ek G-S , C kapacitását lemérhted egy kapacitásmérövel,ha a G el tudod szigetelni,összehasonlitás,szakadás vizsgálatra.Nagy áramról van szó D-S között,igy pl.a S (D)lábára befüzött 2-3 menet szigetelt huzalbol már mérhetö jelet ad egy oszciloszkopnak.Igy egyenként lemérheted mindegyik müködését.üdv.Jóska
0
Áramgenerátorosan hajtsd meg őket 10-20 amperrel. Azt amelyik melegszik, az zárlatos.
0
Vannak ravasz rövidzár keresési módszerek, pl megküldöd a zárlatos részt 1-2A val. Méred a különböző szakaszokon a feszültségesést. Lehet néhány hibát kidob (amúgy meg tényleg az összes cserélendő, nagy jelentősége nincs) . A szakadt fetet talán úgy keresném, aki nem dolgozik, nem is melegszik.
Más kérdés, ha valami 140A-t tudott, és 70A-t ad le, ott nem valószínű, hogy párhuzamos fetek közül valamelyik szakadt. A párhuzamos kapcsolásnak a tulajdonsága, az áramok megoszlanak. Ha egy szakasz szakadt lesz, a maradék terhelése megnő. A nagyobb terhelésre meg vagy tönkremegy a maradék, vagy dolgozik tovább, csak kicsit melegebb lesz.Itt viszont akkora veszteségnek kellene keletkezni, amit már az eredeti borda biztosan nem tud elfűteni.
0
Üdv.
Olvasom a "megoldásokat". Én minden képp azt szoktam csinálni, hogy ónszívóval, vagy harisnyával megszabadítom a lábakat, és mérek. Szerintem minden panelfuratban van annyi hely, hogy ezt meg lehet csinálni. A Tv sorki tranyókat is így mértem, mert régi tv-nél már nem nagyon birta a panel a kiforrasztást. A mozgatás miatt többször levált a fólia. Ezért az ónszívás volt a megoldás.
0
szia: vagy injekciós tűvel.
Bálint
0
Szia!
Ha nem tudod elkülöníteni akkor biztosan sehogy.
Ha leválasztható a hűtőbordáról, akkor tápláld meg 20-24V-ról két sorba kapcsolt autóreflektort használva munkaellenállásként. A közös G-et kösd földre. Ha az izzón feszültség mérető, esetleg még világít is, akkor valamelyik átvezet és az melegedni is fog. Ha minden jó, akkor a G-re kapcsol akkora feszültséget, hogy az izzón fél táp legyen. Ekkor a FET-ek félig nyitott állapotba kerülnek és melegedniük kell. Ha valamelyik hideg marad, akkor az szakadt. De ezek mind csak tájékoztató jellegű dolgok.
Üdv.
0
Szia - nagyon "entellektüel" ez a probléma! :p
Hát ha még külön source-ellenállások sincsenek, akkor az elsődleges mutató a feszültségesés nyitott állapotban. Ha elég kicsi, akkor hol a baj? Egyenként ki kell kötni a meghajtást a gate elektródákról, és figyelni a hatást az áteresztésre. Persze ha minden gatera külön ellenállás megy, akkor az azon eső feszültséget mérjük - hisz a szakadt FET nem fog sok meghajtóteljesítményt fogyasztani. Hol van 2-3 darabnál több FET párhuzamosítva csak úgy direktbe - elválaszthatatlanul? :hmmm:
0
A szakadt FET nem fog sok meghajtóteljesítményt fogyasztani...
Mi van???
lcsaszar
0
Az van, hogy ha a FET-nek megszakad a drain kivezetése, de te rávezeted a meghajtófeszültséget - akkor nem fog annyi áram megfolyni a gate-jába. A FET-tek ugyanis nagyon becsületes alkatrészek, annyit esznek - amennyit dolgoznak. Ha nem hiszed, próbáld ki! ;)
0
Szia!
A MOSFET (és az IGBT) térvezérlésű tranzisztor. A G árama 0, ebből adódik, hogy az áramerősítési tényezője végtelen. A nagy teljesítményű példányok G-S (vagy G-E) kapacitása nF nagyságrendű ezért ennek a feltöltése (és kisütése) során áram folyik rajta. Persze ez csak nagyobb frekvencián vagy négyszögjeles vezérlés esetén igaz. A G árama nem függ a D áramtól csak a G feszültség amplitúdójától, frekvenciájától (ill. a négyszögjel esetén a fel-le futási meredekségétől).
A drain árama egyenfeszültségű vezérlés esetén ID=k(VGS-VTH)^2
Ha fogsz egy N csatornás teljesítmény FET-et és a D körébe beiktatsz egy soros reflektorizzót (12V 55W), rákapcsolsz 12V-ot elég csak kézzel hozzáérni a G lábához és kinyit. Az izzó max fényerőn világít majd ahogy kisül a G kapacitás szép lassan elalszik. Ez percekig is eltarthat miközben a D árama 4,5A, a G árama 0A.
Üdv
0
Szia(sztok)!
Csodás. A barátunk elhelyez egy a negyedéves hülyeség versenyen dobogós mondatot és még leálltok vitatkozni rajta. Az összes FET meghajtó fejlesztő egy kretén barom mert olyasmit fejleszt amire "semmi szükség". Az akár több nF-os gate kapacitás feltöltése vagy kisütése igen is komoly áramigénnyel jár. De itt álljunk meg! Mert csak lesüllyed az ember az "okosok" szintjére.
Laci
0
Edmundson - ezt most miért írtad le? Kit érdekel a sztatikus áramerősítési tényező? A tranzisztorokat nem drótnak tartjuk a készülékeinkben! Bármilyen erősítőelem képességeinek megítélésénél csakis a váltakozóáramú összetevő teljesítményének az erősítése számít - mert az hordozza az információt. Információs társadalomban élünk, ezért az információ erősítése a lényeg - hisz erről szól a technikai fejlődés, az Élet evolúciója és Világegyetem fejlődése! :D
0
Szia Transzduktor!
1. A témanyitó kérdéséből nem derül ki, hogy ez a modul miben van és milyen üzemben dolgozik. Nem kell mindjárt kapcsoló üzemre gondolni. A FET-et használják DC áramkörök ki-be kapcsolására, lineáris tápegységben vagy akkutöltőben de még hangfrekvenciás erősítőkben is. Sőt mélynyomó erősítőkben is, ahol mindössze pár száz Hz-es szinuszos meghajtást kap.
2. A tesztelés nyilván labortápról történik ahol csak DC üzemről beszélhetünk. Ha eredetileg kapcsoló üzemben is működik a tesztelés során nyilván nem üzemi körülmények közt, üzemi vezérlőjellel fogja tesztelni.
3. Azért is írtam mert agressiv hozzászólását rögtön lehurrogtátok, pedig teljesen igaza van.
"Bármilyen erősítőelem képességeinek megítélésénél csakis a váltakozóáramú összetevő teljesítményének az erősítése számít - mert az hordozza az információt."
Ez nem igaz. A SCART kapcsolójele is DC mégis hordoz információt. Erősíteni nem csak AC-n de DC-n is lehet. De például összes műveleti erősítő nyílt hurkú feszültségerősítése DC-re vonatkozik (és az is erősítő elem).
Ha már a filozofálásnál tartunk: "Információs társadalomban élünk, ezért az információ erősítése a lényeg"
Információ = újdonság értékkel rendelkező adat. Ezt nem lehet erősíteni vagy csillapítani sem. Legfeljebb az információt hordozó fizikai mennyiség erősítéséről beszélhetünk. Kivéve ha az a postás :)
Laci felvetésére: "Az összes FET meghajtó fejlesztő egy kretén barom mert olyasmit fejleszt amire "semmi szükség""
Én ilyet soha sem állítottam! A FET meghajtóra kapcsoló üzemben van szükség, mert a négyszögjel felfutása során akár A-ek is folyhatnak a G-en. Másrészt kikapcsolásnál a lefutó éllel rövidre kell zárni a G-S lábakat, hogy gyorsan kisüljön a G kapacitás. Ezért az összes FET meghajtó totem-pole kimenetű. De erre már előzőleg is utaltam:
"A nagy teljesítményű példányok G-S (vagy G-E) kapacitása nF nagyságrendű ezért ennek a feltöltése (és kisütése) során áram folyik rajta. Persze ez csak nagyobb frekvencián vagy négyszögjeles vezérlés esetén igaz. A G árama nem függ a D áramtól csak a G feszültség amplitúdójától, frekvenciájától (ill. a négyszögjel esetén a fel-le futási meredekségétől)."
Üdv.
0
Szia Edmundson!
Írod: "A G árama nem függ a D áramtól csak a G feszültség amplitúdójától, frekvenciájától"
:hmmm:
Szerintem nagyon is függ, ha nem sztatikus üzemről beszélünk. Állandó amplitúdójú bemeneti és kimeneti feszültségek esetén igenis függ a felvett gate áram a vezérelt drain áram mértékétől - ami ugye a terhelés által adott. Ez a karakterisztika a bipoláris tranzisztoroknál is megvan, csak alacsonyfrekvenciás alkalmazásoknál nemigen számolnak vele! (De azért néha látni kondenzátort a bázisellenállással párhuzamosan - ugye?)
Már lassan aggódni kezdek hogy én vagyok tompa, ezért lehet hogy hétvégén rááldozok egy délutánt, hogy konkrét adatokkal igazoljam ezen állításomat. (Sajna az utóbbi időben nagyon keveset játszok elektronikával, nem kizárható, hogy már butulok.)
Ja - a információelméletbe ne menjünk most bele, de azért megkérdezem: Tudtad-e, hogy az információnak a hőmérséklettel analóg értelmű tulajdonsága is lehet? A materialistákkal ellentétben - idealistáknak pedig azokat nevezzük - akik nem látják be, hogy a tömeg - energia - információ egyazon entitás különböző értelmezési és/vagy megnyilvánulási formái. Teljesen elválaszthatatlanok, mint a piros lyukas zoknitól a piros szín, a lyuk és a zokni! :D
0
Hát én is úgy gondoltam, nem változik a gate áram a terhelés függvényében...
Ez az elmélet a múlté. Kipróbáltam, 10Khz vezérlés esetén a terhelést 0-1A között változtatva, a gate áram egyértelműen változik, a DS feszültség és a DS áram függvényében is.
Nézegetve a katalógust, találtam olyan grafikont, ami a DS feszültség - bemeneti kapacitás viszonyát ábrázolja, Az áramra viszont nem találtam még magyarázatot a grafikonokban.
0
Szia!
Ha a G áram függ a D áramtól akkor ott valami mérési hiba lehet vagy vannak parazita alkatrészek. Alapvetően a G oxidréteggel van izolálva a DS struktúrától ezért semmilyen galvanikus kapcsolat nincs közte. A G kapacitás gyakorlatilag csak a geometriától függ nem függhet a feszültségtől. Legfeljebb annyira mint egy normál kondenzátor esetében (persze most jön a minden mindennel összefügg elmélet, de kérdés, hogy van-e számottevő releváns eltérés ha ezeket elhanyagoljuk). Sokkal inkább hőmérséklet függő de azt is inkább a hőtágulás magyarázza. Nyilván 10kHz-en a G áram függni fog az UGS amplitúdójától. Sehol sem fogsz találni ID-IG karakterisztikát. De ha mégis kérlek oszd meg velem.
A BJT-t nem kell a FET-el egy kategóriában tárgyalni, mert teljesen más felépítésű. Ott a bázis galvanikus kapcsolatban van a kollektor-emitter struktúrával (PN átmenettel) és ott valóban folyik áram a bázison ami függ a kollektor áramtól is. Az IC, IB arányát mutatja meg az áramerősítési tényező és az IC-IB karakterisztika. De FET-nél ilyen nincs.
Természetesen nem zárható ki az, hogy tévedek és vannak olyan spéci FET-ek ahol van összefüggés az ID-IG közt, de szívesen megismerkednék vele. Jó lenne néhány képlet vagy grafikon ami ezt igazolja.
Üdv.
0
Hi!
"G kapacitás gyakorlatilag csak a geometriától függ nem függhet a feszültségtől."
:hmmm:
És az a bizonyos "geometria" szerinted állandó? Mitől maradna az állandó - kéremszépen? Hisz félvezetőstrukrúráról beszélünk! Ott a töltéshordozók térbeli rendezettsége - azonosképpen a gate-kapacitást létrehozó egyik kondilemez változik a drain - source kör elektromos állapotának a függvényében - értem? :D
0
Szia!
A geometria nem állandó, függ a hőmérséklettől. A G elektróda oxidréteggel van elszigetelve, abban nincsenek szabad töltéshordozók, ezért szigetel. Ha egy sík kondenzátorra gondolsz, a kapacitást ott sem befolyásolja az elektródákon felhalmozott szabad töltéshordozók elrendezése és a mennyisége sem.
Üdv.
0
:idea: De az egyik elektróda nem mindíg vezető - hanem csak egyes részein vezető. Egy sík kondenzátor fémlemezein a töltéshordozók szabadon mozoghatnak, mivel a vezetési elektronok nem kötöttek egyes atommagokhoz, hanem delokalizáltak. Ezért a fémlemezes kondenzátor geometriája állandó. A diódában is szigetelőréteg alakul ki a rákapcsolt záróirányú feszültség függvényében - így működnek a modern rádiókészülékek hangolóáramkörei. Ha nyitóirányban kapcsolunk feszültséget a diódára, akkor az anyagállandókkal adott küszöbfeszültség túllépése után úgy vezet mint egy drót!
0
"De az egyik elektróda nem mindíg vezető - hanem csak egyes részein vezető."
Ebben teljesen igazad van. A nyitó szakaszban valóban változik a G kapacitás az UGS függvényében de ez csak arra a pár 10-100mV-os tartományra igaz. Kapcsoló üzemben viszont nem ebben a tartományban működik, 12-15V-al szokták meghajtani.
" A diódában is szigetelőréteg alakul ki a rákapcsolt záróirányú feszültség függvényében - így működnek a modern rádiókészülékek hangolóáramkörei. Ha nyitóirányban kapcsolunk feszültséget a diódára, akkor az anyagállandókkal adott küszöbfeszültség túllépése után úgy vezet mint egy drót!"
Ezekkel többé kevésbé egyet értek, de a FET-et mindig záró irányba kell előfeszíteni és vezérelni. Ha a G-S "kinyit" vagy inkább átüt, akkor kampec neki.
Üdv.
0
Sajna katalógus adat a DS feszültség a GS kapacitás függvényében (IRF540). Lehet megvitatni de nincs értelme. Lehet akár varikap elven is működhet.
Ami szintén biztos, van összefüggés a GS kapacitás meg a GS áram között nagy frekvencián.
Attól hogy egy átlag halandó ezeket az adatokat elhanyagolja, nem bizonyítja, hogy nem létezik.
Egyébként eddig én is ebben a hitben voltam. A mérés pedig azt bizonyította számomra, igaz hogy mikroA kategória volt ezen a frekvencián, de jelentős 2-3 szoros különbség volt a két érték( UDS 2V-12V) között Áramra is változott igaz nem ennyire jelentősen. ( IDS 1mA-1A kb 10-20% ) Bár a műszerem is csak sacc ezen a frekvencián, de a viszonyt jól mutatja.
Az első mérésnél sok esélye nem volt a geometriai változásnak, csak a tápegység áramkorlátját tekergettem, és folyamatosan mértem a Gate áramot, a változás ledöbbentett, utána vizsgáltam a két paramétert külön külön. Az áramra változás csekélyebb, lehet betudható a hőmérséklet változásnak, de a feszültségváltoztatásra van grafikon a katalóguslapon, és az lényegesen nagyobb is volt.
0
IRF540
0
Szia!
Köszönöm a fáradozásod!
Azt írtad, hogy az ID-t 1mA-1A tartományban változtattad. Nos ez 1000x-es tartomány azaz 100.000%-os. Mindeközben az IG 10-20%-ot változott. Szerintem ez elég nagy különbség ahhoz, hogy elhanyagolható legyen. Másrészt mikroA-es tartományban mértél egy olyan műszerrel, amelynek a frekvenciatartománya ezt nem is teszi lehetővé. Te magad is azt írtad, hogy sacc. Azért ez nem valami meggyőző. Ráadásul feltételezem, hogy méteres műszerzsinórokat használtál. Azok bőven összeszednek annyi zajt, hogy mikroA-es tartományban meghamisítsák a mérést. A G, S vezetékek simán rászórhattak G vezetékekre. Ilyen mérésnél rövid árnyékolt kábelt kell használni és az egészet fém dobozba kell helyezni. Az is kérdéses, hogy a műszered true RMS-t mér vagy sima effektív értéket. Ha az UGS eléri a nyitófeszültséget (4-5V) akkor ott egy töréspont (lépcső) keletkezik ami szintén meghamisítja a mérést. Ezért inkább szkóppal kellene mérni. Továbbá az UDS nem leget kisebb mint az UGS. Az UDS 2-5V eleve nem üzemi állapot. Még mindig afelé hajlok, hogy az eredmény inkább mérési hibából adódik.
A becsatolt QG vs. UDS grafikonhoz hasonlót több adatlapban láttam már. Ha megnézed az UDS tartomány 20-80V azaz 400%, miközben a QG csak kb. 12%-ot változik. Tény, hogy változik, de az arányokat figyelembe véve simán elhanyagolható. Persze ezen lehet vitatkozni, nyilván egy precíziós műszerben nem, de ott is sokkal nagyobb hibát okoz a hőmérsékletváltozás, mint a QG. változása. Másrészt sajnos nem részletezik a mérés menetét. Nem tudni, hogy ezt most lineáris üzemben mérték, vagy szinuszos esetleg négyszög vezérlőjellel? Milyen frekvencián? ID=17A és ha nálad ez csak 1A vagy 100A? Szóval szerintem túl sok információ tartalma nincs ezeknek a grafikonoknak.
De a lényeg. Soha sem állítottam azt, hogy a G kapacitás független az UDS-től csak azt, hogy nyitott állapotban már független az UG-től. Másrészt az alap állításom az volt, hogy az IG nem függ az ID-től, amit sokan támadnak. Szóval egy IG vs. ID karakterisztikát találj nekem és megemelem a kalapom.
Üdv.
0
Ez egy okos diagram, ami ábrázolja a lényeget. Amíg a tranzisztor változtatja az állapotát, addig nagyságrendekkel nagyobb kapacitásként viselkedik a bemenete. Ha kisebb áramra nyit rá - akkor értelemszerűen rövidül a nagykapacitású szakasz - tehát kevesebb töltést vesz fel a tranzisztor a teljesen zárt állapotból a teljesen nyitott állapot eléréséig - és fordítva. :oke:
0
Szia!
Hogy mennyire okos azt nem tudom, de itt áramról szó sincs és rövidülést sem látok.
Másrészt a G töltöttsége (mert hogy kapacitásról sincs szó, legfeljebb számolható) nem változik nagyságrendekkel, de még csak egy nagyság-rendel sem.
Amíg a tranzisztor "változtatja az állapotát" azaz a nyitó szakaszban van nő a kapacitása 2nF-ról 6nF-ra. Ez kb. 3x-os változás, de ebben az állapotban nem függ az UDS-től (csak egy vonal van)
Amikor már kinyitott akkor a kapacitás már nem változik tovább (a 3. szakasz lineáris). A karakterisztika szerint ekkor már csak az UDS-től függ a kapacitás kb. 12%-al nő miközben az UDS 400%-al.
Üdv.
P.S. Találtam egy nagyfeszültségű IGBT-t (G40N60) aminek a nyitó szakaszában is változik a kapacitása az UDS függvényében. De hogy mennyit... olvassa le aki tudja.... (QGvsUDS.jpg)
0
Na látod - hogy nem látod!
Ott - a zöld tartomány függ az ID-től - erről beszélek neked egész idő alatt! Na mennyi a kapacitás a zöld tartományban? És mennyi a pirosban? És hogy változik a zöld tartományban benyelt töltés (tehát ennek egyenes következményeként a meghajtóáram) az ID függvényében - kapcsolóüzemben?
0
Szia!
A zöld tartományban a gate kapacitás 2nF-ről 6nF-ra nő. A piros tartományban mindvégig 6nF, ott már nem változik az UGS függvényében és az ID függvényében sem. Ez a kapacitás változás az UGS-től függ. Az ID-ről itt szó sincs. Abban igazad van, hogy a nyitó szakaszban az ID is nő mondjuk 0-ról 17A-re, de ez következmény és nem kiváltó ok. Ha már nyitva van a FET és változik az ID a terhelés függvényében az már nincs hatással sem az UGS-re sem az ID-re. De szívesen változtatok ezen a nézetemen ha találsz nekem egy IG vs. ID karakterisztikát :)
Üdv.
P.S. Pontosítás!
Kinyomtattam a grafikon nyitó szakaszát egy A4-es lapra és megpróbáltam lemérni az értékeket.
A nyitás pillanatában: UGS=5,3V; QG=7nC; C=1,32nF
A nyitó szakasz végén: UGS=5,5V; QG=23nC; C=4,18nF
Tehát a kapacitás változás 2,86nF azaz 3,1 szeresére nő.
Ezzel a korábbi 2nF-6nF-os értékeket pontosítottam, mert azokat a monitorról szemre próbáltam leolvasni. Persze, hogy ez mennyire pontos és mekkora szórása lehet a valós alkatrésznek nem tudni. Tájékoztató jellegű adat, de számolni nem lehet vele.
0
sziasztok:
FET-ekről, röviden
Bálint
0
Szia Bálint!
Sajnos nem tudom elolvasni a szöveges részt. Megtennéd, hogy becsatolod nagyobb felbontású pdf-ben.
Köszönöm,
Üdv.
0
szia: küldj PÜ-ben egy címet, átküldöm, .jpg-ben 480kB oldalanként
(1994 januári Rádiótechnika, ha neked megvan)
Bálint
0
Balint,
ilyesmit igazan összefoghatnal egy pdf-be, s meg kissebb memoria igenye is lenne lenyegesen jobb felbontassal :-)
Kari
0
szia: az újabb nyomtatóm tudja a .pdf-et is, de az eredeti fent van a padláson, majd holnap, ez úgyis elég randa
Bálint
0
Szia!
Nemtom minek ide a nyomtato: "csak serkenteni" kellene a kepekböl egy egyseges összeallitast, s azt pdf-re atvaltani_ezt megteszi nehany SW, pl a "PDF Architekt" is...
Kari
0
.
0
Hali!
Jo munka, pont effelet szerettem volna elkövetni, de a kapott pdf-szkenenk nekem nem hoztak eleg jo felbontast a vegere...
Kari
0
szia: ilyen lett újonnan szkennelve
nincs pdf zargató programom
(nyomtató-szkennelő)
Bálint
0
Haho!
Lekell töltsd a gepedre, s egy kep nezegetövel majdnem tökeletesen olvashatod...
Kari
0
Szia!
Sokkal jobb nem lett 546x768 :(
Üdv.
0
Hali!
Felbontasat megnem mondanam, de a rossz szemüvegemmel is jol tudtam olvasni...
K.
0
Szia !
A tanult mondatelhelyezőnk nyilván azt az állapotot értette a "nem is folyik áram a gate-en" alatt, midőn már a gate megkapta a kis töltésadagját, létrehozva ott egy elektromos erőteret, s szabad utat engedve a Drain áramnak. Innen a "térvezérlés" elnevezés eredete. Az hogy a már elindult áram fenntartásához nem kell teljesítmény, az a félvezető struktúra kialakításának köszönhető, nevezetesen a gate technologiától függő, többé kevésbé jó elszigeteltségének.
Mielőtt nagyon nekiesnél Transzduktornak, ajánlanám becses figyelmedbe a legtöbb hozzászólását. Sajnálatomra hiába van jó pedagógiai érzékkel megáldva, látom rajta a fásultság jeleit. Ennek talán egyik oka az lehet hogy túlságosan könnyű az az öt kérdés...
A hangfrekvenciás végfokok világából jó pár példát lehetne hozni ahol nem intézik el a meghajtást egy legyintéssel, ahh nem kell oda csak feszültség. Igényes kapcsolásokban olyan meghajtást "rittyentenek" a FET csoportok elé hogy csak győzze az ember fia kielemezni.
Laci
0
Szia!
A térvezérlés elnevezés azért sokkal korábbi. Akkoriban még nem is léteztek teljesítmény FET-ek és MOSFET-ek sem. Kezdetben a JFET-eket alkalmazták a BJT-vel hasonló kapcsolásokban vagy vezérelhető ellenállásként visszacsatolásokban. Azoknak a G kapacitása pF nagyságrendű vagy még kisebb és fel sem merült a G áram fogalma.
Félre ne érts én nem akarok senkinek sem nekiesni....
Üdv.
0
Az megvan, hogy a fetek térvezérlésűek és nem is folyik áram a gate-en? Nagyfrekvencián persze igen, mert jelentős kapacitásuk van, de az nem igazán változik. Te kevered őket a tranzisztorral..
0
Ezt ne tedd mert alul maradsz!
0
Sajna már megtette! De hát minek gyötörjem magam? Majd veszi ő is a fáradságot és belenéz egy valamirevaló szakkönyvbe, vagy ami még jobb - összeforraszt egy próbaáramkört és meggyőződik a MOSFET-ek tulajdonságairól saját munkája által! ;)
ps: "Te kevered őket a tranzisztorral.." - A FET minek a rövidítése? Hogy lehet valamit önmagával "keverni"? :lol:
0
Saját fejlesztésű áramköreim vannak fetekkel, amiknek a meghajtását is én csináltam, szóval tudom miképpen működnek. Te a bipoláris tranyókkal kevered (gondoltam legalább ez egyértelmű, de tévedtem..), ott változik a bázisáram a kollektor áramával. A hibás fetet soha a büdös életben nem fogod a gate "áramából" kikövetkeztetni, szerintem összekeversz itt valamit valamivel.
0
:roll: Nem keverem - mert én egy galvanikusan leválasztott bemenetnél értelemszerűen váltóáramban gondolkodom, hisz egyenáram nem folyhat. Feltételeztem, hogy itt senki sem nézi be ezt a terminológiai részletkérdést. :(
0
Ezt én sem értem, ez nem biopoláris tranyó. Max az ellenállások után lehetne mérni a jelalakot, ami szakadt gate mellett lehet más.
Amúgy fetek nem szoktak csak úgy megszakadni, a rövidzár a jellemző.
0
Szia!
Inverteres hegesztőkben, plazmavágókban sokszor van egy ágon 6-8 db FET vagy IGBT párhuzamosan, persze külön gate ellenállás jár hozzá.
Többször volt már nekem is ilyen gondom, hogy zárlatba ment az egész ág ( GDS egyben zárlat).
Nekem még mindig bejött, hogy a betáplálás felőli első félvezetőt veszem ki, aztán mérek. A kiforrasztottat is, illetve a helyükön maradottakat is.
Általában 1-2 kiforrasztás után a zárlat megszűnik, a maradék jó lesz.
A maradék jókat is ki kell forrasztani, és egyben félretenni olyan helyre még jó lesz, ahová annyi kell.
Illik az egész ágban egyforma félvezetőknek lenni ( egy sorozat, vagy válogatott), különben a paraméterek eltérése miatt feszültség kiegyenlítődés hatására a leggyengébb láncszem elszáll. :(
Laci
0
Szia!
Autós erősítőkben gyakori, hogy 4-6 darab is van párhuzamosan. A végfok és a táp oldalán is.
Üdv: Jácint
0
Sziasztok!
Én leginkább inverteres hegesztőkben illetve frekvenciaváltókban találkozom vele. A mostani topiknyitóm is hegesztővel kapcsolatos és se source sem pedig gate ellenállások nincsenek benne, hanem fullra párhuzamosan van kötve 6 darab, és az a baja, hogy kevés ampert ad le. 140 A-os de max. állásban is csak kb.70 A-t ad le. Nagyáramú kontaktok mindenhol jók.
0
Szia!
Mi a gép típusa?
Lehet hogy teljes hídban vannak a Fet-k, és valamelyik ág szakadt, vagy a meghajtása szakadt.
De előfordulhat a kimeneti diódák egyik ágának a szakadása is.
Laci
0