Sziasztok!
Címben nevezett inverteres hegesztő IGBT hibával került hozzám. Csere után teher nélkül üresjárati feszültség rendben más hibát nem találtam.
Teszteléskor elszállt az IGBT gate körében lévő kondi. Érdekes az IGBT-nem.
Megpróbálnám alaposabban átvizsgálni viszont Nekem ehhez kellene SM hozzá.
Wantedban keresem hozzá a rajzot eddig sikertelenül.
Esetleg nem lapul valakinél hozzá SM?
Segítségeteket köszönöm.
Üdv
Gyula
Szia!
Azért 1-2 képet tehetnél vel a belsejéről mert így csak Zsugori rajzára és képeire hivatkozhatunk.
Esetleg nincs felszitázva a GDS vagy GCE a félvezetőknél?
Ha olyan a gép belseje, mint a képeken lévő 3 hűtóbordás, akkor az teljes hidas, a felső 2 félvezető lehet azonos hűtőbordán.
Vegyél ki egy megmaradt jót és teszter megmutatja hogy mi is az valójában.
A hibás rajzrészleted alapján én FET-re hajazok, szerintem az impulzustrafó után lévő öcsipanel egy részét rajzoltad le.
Nem sok alkatrész van ott, a kis trafótól a G lábig jó lenne a teljes visszarajzolás, az is nagy segítség lenne.
Laci
0
Szia
köszönöm szépen.
Ahogy Te is és a többiek is mondták tényleg hibás a korábbi rajzom. Átrajzoltam leszedett alkatrészeknél és raktam fel képet a gépről is.
Köszönöm, hogy foglalkoztok vele és segítettek Nekem.
0
0
Szia!
Nem biztos, hogy zárlatos volt a dióda, mert a párhuzamos kis ellenállás bezavar a mérésbe! De már kiforrasztottad, biztos hogy elszállt.
0
Szia!
Így már érthető.
Amit zsugori feltett rajzot, az kell neked. Egy kicsit átvariálták az alkatrész értékeket...
A másik G a furatgalvánon keresztül kap jelet.
Egy egy teljes hidas gép, az alső 1-1 félvezető, amit kiforrasztottál.
Az 1N5819 az 40V/1A egyenirányító dióda, azonban schottky, sőt nagyon érzékeny a forrasztásra! 220C fok is csak max 10 másodpercig! Szóval egy forrasztással haza lehet vágni a diódát!
Ha van tesztered, a felső FET vagy IGBT-re mérj rá és kiderül hogy mi is az.
Laci
0
Kiszedtem a másik kettőt is.
Az egyik teljes zárlat. A másiknál a teszterem és MM is csak a diódát méri S-D között.
Kénytelen leszek megvárni míg megjön mit rendeltem aztán berakva kiderül.
0
Köszönöm
A diódákat és a többi smd-t 138fokos pasztával fogom berakni. Nézem a másik két Fez vagy IGBT-t.
0
szia. ezek ugyanúgy néznek ki
https://nl.aliexpress.com/item/1005001895094499.html?src=google&aff_fcid...
Bálint
0
Szia,
ezekből rendeltem
0
szia
tekhmann meg kitudja miben lehet pmb
0
Szia
Köszönöm.
Annyival jutottam előrébb, hogy a csatolt rajzomon (melyet az alkatrészek leszedése után rajzoltam át a panelről) a D16-os dióda zárlatos, valamint az R57 és R4 ellenállás szakadt lett.
A két fél rész szimetrikus, viszont csak az egyik félnél van a Gate bekötve, természetesen a panelon a két IGBT gate-je közösítve van.
Mi okozhatta ezen alkatrészek halálát?
Lehet az IGBT mégis nem a legjobb és csak hamarabb elszálltak ezek mint az IGBT?
Megjegyzés: az eredeti IGBT tipusa 20N60FD1 volt helyette SKW20N60 tettem be. Mind a kettőt cseréltem.
0
Szia!
A rajzod szerintem hibás. Az ominózus dióda 40V 1A-es schottky, ha az általad lerajzolt kapcsolásban lenne,akkor a meghajtójelet levezetné a source lábra.
FET-et IGBT-re ne cserélj, mert a FET lényegesen gyorsabb,és előfordulhat hogy a kapcsolási sebesség miatt alkalmaztak FET-et az adott áramkörben.
Ha a meghajtó körben is hibásodtak meg alkatrészek, akkor a meghajtó trafó is kaphatott,azt érdemes lenne meghajtani kapcsolófokozat és védőelemek nélkül, a kapcsolótranzisztorok kapacitásának megfelelő kondikkal söntölve minden kimeneti tekercset,és oszcilloszkóppal mérni minden tekercsrész jelalakját.
A jelalaknak egyformának kell lenni minden tekercsrészen.
0
Köszönöm mindenkinek az infókat.
A kapcsolási rajzot megnézem a panelen újra amint otthon leszek.
Megrendeltem az eredeti tipusú IGBT-t igaz csak külföldi oldalon találtam. Az míg megjön arra kell idő.
Üdv
Gyula
0
Egyetértek az általad leírtakkal, szerintem sem jó ötlet FET helyett IGBT-t beépíteni, egyrészt ahogy írtad a "gyorsaság" miatt,
másrészt az eltérő gate kapacitások, valamint az Rd-s on értékek miatt.(IGBT-nél C-E sat. feszültség)
Valamint adatlap szerint az IGBT teljesítmény disszipációja (179W ) fele mint a FET-é.(370W)
Szerintem sem volt jó ötlet a csere...
4
Sziasztok!
Valóban nem jó ötlet, de szerencsére nem is történt ilyen:
https://ferrite.ru/upload/products-files/f8a/f8a9132641210bab34bf5828d3f...
Létezik ugyan FET 20N60 jelöléssel, de IGBT is.
0
Jaca neked igazad van,ezért nem elég csak a standard típusjelölést figyelembe venni, igazából jelentősége a kiegészítő betűjelöléseknek van, mint ahogy az általad belinkelt adatlapból is jól kiolvasható. Olcsóbb IGBT kiválóan megfelel kb. 35 kHz-ig, efelett vagy FET vagy gyors IGBT kell, ami viszont nem olcsó.
0
https://static.elektroda.pl/attach/Schemat_spawarki_inwertorowej_2681635.JPG
0
pkb-200 orosz плата САБ
2
szia: hasonlítsd össze a két IGBT paramétereit az adatlapjaik alapján, ha helyettesítőt raksz bele
Bálint
PS:
Az egyik powerMosfet, a másik gyors IGBT
https://www.hqelektronika.hu/hu/kereses/20n60
https://www.compatel.hu/index.php?searchstring=20n60&x=3&y=1
0